SK Hynix invierte 4,000 millones de dólares en su primera planta de empaquetado HBM en Estados Unidos
- Ana Paula Sánchez
- septiembre 1, 2026
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El fabricante surcoreano de semiconductores SK Hynix realizó la ceremonia de inicio de obras para su primera planta de empaquetado avanzado de memoria en Estados Unidos, ubicada en el Purdue Research Park en West Lafayette, Indiana.
La instalación representa una inversión superior a 4,000 millones de dólares y proyecta iniciar la producción en masa de chips de memoria de alto ancho de banda de próxima generación (HBM4E) durante el tercer trimestre de 2029, tras la apertura de su sala limpia en octubre de 2028.
El complejo de 540,000 metros cuadrados no fabricará obleas desde cero, sino que recibirá las obleas DRAM producidas en Corea del Sur para ejecutar los procesos de apilamiento, empaquetado y pruebas técnicas, con una capacidad anual estimada en cientos de miles de obleas.
El proyecto prevé emplear a 1,000 personas de forma directa y generar cerca de 7,000 puestos de trabajo sumando la fase de construcción y la cadena de proveeduría.
La inversión contará con hasta 458 millones de dólares en subsidios directos y 500 millones en préstamos del gobierno estadounidense bajo la Ley CHIPS y Ciencia, respaldando a la firma que registró una participación del 58% de los ingresos globales del mercado HBM en el primer trimestre de 2026 para clientes como Nvidia, Microsoft y Google.
